Исследование дефектов роста, границы которых сопровождались полосами ямок травления [5], наблюдалось также методами рентгеновской топографии [11]. Рентгенотопографические исследования проводили на установке УРТ-1 методом Ланга в излучении МоКа в отражениях типа 220 (от плоскостей, параллельных направлению роста) либо в отражениях 400 (от плоскостей, перпендикулярных направлению роста, в тех случаях, когда было необходимо подчеркнуть полосчатость, обусловленную неравномер­ным распределением примеси). Чтобы проявить распределение микродефектов, образцы декорировались медью и золотом, при этом картина распределения была сходная в обоих случаях.

Исследования бездислокационных монокристаллов кремния, легированных германием в интервале 1,5*1019-1.9*1020 см-3, показало, что распределение германия в этих кристаллах является неравномерным, слоистым, что приводит к возникновению сильных напряжений в кристал­лах. Во всех кристаллах, легированных германием в указанном диапазоне концентраций, имеются ростовые микродефекты, характерные для ис­пользованного способа и условий выращивания (А - и -дефекты). Картина распределения микродефектов и их концентрации в кристаллах, содержа­щих и не содержащих германий, одинаковы.

Данные хорошо согласуются с результатами [5]. В обоих случаях отмечаются напряжения в кристаллах, приводящие при релаксации к появлению дислокаций. Как метод борьбы с явлением сегрегации компонентов сплава Si1-xGex можно предложить тщательный подбор режимов выращивания слитка и возможно, наложение внешнего магнитного поля порядка 0.2-0.3 Тл для стабилизации температурных флуктуаций и формы фронта кристаллизации.