Присутствие германия в кремнии влияет на образование дефектов и кислородсодержащих термодоноров, как во время роста, так и во время обработки слитков. Одним из методов оценки дефектности структуры кристалла является исследование спектров поглощения в инфракрасной области.
Исследование кристаллов р-кремния, выращенных методом Чохральского и термообработанных при 450 оС (отжиг до 128 часов), было проведено на спектрофотометрах Specord-751R и UR-20 [10]. Сравнивались образцы:
№2 – с концентрацией Ge равной 3*1018 см-3
№3 – 3*1019 см-3
№4 – 1.5*1020 см-3
Концентрация германия определялась методом нейтронно-активационного анализа. Концентрация кислорода (полоса ИКП 1128 см-1) составляла 9.0*1017, углерода (полоса ИКП 607 см-1) 5.6*1016, носителей заряда (из эффекта Холла) 7.1*1014 см-3. Контрольный образец - кремний, выращенный в сходных условиях без легирования германием.
Основными особенностями, отмеченными в ходе экспериментов, были следующие:
1. В Si<Ge> в процессе отжига не вводятся в заметной концентрации новые оптически активные центры, включающие в свой состав атомы германия.
2. Данная примесь в концентрации < 3*1018 см-3 не влияет на процессы генерации термодефектов (спектры ИКП образцов № 1 и № 2 идентичны). При увеличении NGe уменьшается интенсивность всех полос, связанных с термодефектами, т. е. имеет место подавление генерации оптически активных центров.
3. Присутствие германия по-разному влияет на эффективность введения отдельных дефектов, причем некоторые полосы, наблюдавшиеся в контрольном материале (, см-1: 402, 440, 468, 478, 646, 825, 847, 862, 905, 1045), в образце №4 не проявлялись.
4. Легирование кристаллов германием концентрацией более 3*1019 см-3 приводит к уширению полос ИКП. Так, например, полуширина полосы при 715 см-1 в образце № 4 примерно в три раза превосходит соответствующую величину для образцов № 1, 2.
Изменяется также структура кислородной полосы (и уменьшается интенсивность, особенно для 1135 см-1). Имеются сведения, что легирование германием подавляет в кремнии генерацию термодоноров, вводимых в кремний в температурном интервале 400-500 оС.