Линейные дефекты

– дислокации. Краевая дислокация

– сдвиг на одно межатомное расстояние одной части кристалла относительно другой вдолькакой либо плоскости. Сдвиг создавший краевую дислокацию - ← вектор сдвига. Экстраплоскость

– лишний атомный слой. В близи экстраплоскости внутри кристалла решётка сильно искажена. Если экстраплоскость находится в верхней части кристалла, то дислокация наз. положительной (┴), а если наоборот то наз. отрицательной (┬). Вектор Бёркинса

(в) –явл. хар-кой дислокации по которой определяют энергию дислокации и меру искажённости кристаллической решётки дислокацией. Скольжение дислокации

– перемещение дислокации по плоскости скольжения под действием касательных напряжений (в ГЦК – {111}, в ГПУ {001} ). Винтовая дислокация– атомная плоскость закрученная вокруг линии в виде геликоида. Для винтовой дислокации ось (линия) дислокации параллельна вектору Бёркинса, а направление перпендикулярно. Плотность дислокации

– суммарная линия дислокаций в единице объёма

.

Поверхностные дефекты

– границы зёрен и субзёрен (это поверхность по обе стороны от которой кристаллические решётки различаются пространственной ориентацией). Типы границ зёрен:

граница наклона (ось вращения лежит в плоскости границы зёрен) и границы кручения (ось вращения перпендикулярна этой плоскости). Границы с разориентацией соседних зёрен менее 10° - малоугловые, а с большей разориентацией – высокоугловые. Субзёрна

– разоерентированные зоны (на разные углы) зерна. Блок

– часть зерна с идеальной кристаллической решёткой.