Скорость прогресса в оптической литографии потрясает. Еще двадцать лет назад считалось, что она исчерпает свой потенциал при размерах детали 0.75 мкм. Развитие дизайна оптических линз, оптических материалов и технологий производства, а также резкое уменьшение рабочей длины волны позволяет в наше время использовать 0.18 мкм технологию с перспективами дальнейшего уменьшения размеров особенностей. Каждое уменьшение особенностей вдвое, повышает плотность элементов цепи в четыре раза. Большая плотность, в сочетании с более совершенным дизайном процессора и растущим его размером приводит к бурному росту производительности. До тех пор, пока соотношение производительность/цена растет, потребители и корпорации будут инвестировать в развитие компьютерных технологий.

Запоминающие устройства большого объема (DRAM) и растущие тактовые частоты микропроцессоров требуют уменьшения размеров деталей цепи, и, следовательно более высокого разрешения на стадии литографии. Это требует ультрафиолетового излучения: во-первых, более легко сделать УФ-чувствительный фоторезист, и во-вторых, чем короче длина волны, тем лучше разрешение. До сих пор, рекорд в области коротких длин волн принадлежит эксимерным лазерам , но малая долговечность и сложность работы с прокачиваемой газовой смесью (зачастую токсичной) делают во многих случаях предпочтительными либо ионные лазеры с удвоением частоты, либо лазеры на четвертой гармонике Nd:YAG, которые лишь немного уступают эксимерным по длине волны. Многообещающим является также недавний прогресс в развитии лазеров на четвертой гармонике титан-сапфира (193 нм), который обещает перенести все преимущества твердотельных лазеров в область длин волн менее 200 нм