,
.
Здесь - ядерный потенциал, ответственный за дифракцию нейтронов,
- электрический, g - вектор обратной решетки, характеризующий выбранную систему плоскостей;
,
- амплитуды ядерного и электрического потенциалов соответственно. Величина
характеризует смещение максимумов ядерного потенциала относительно максимумов электрического. В результате нейтроны в состояниях
и
оказываются в сильных (
В/см) межплоскостных электрических полях противоположного знака:
.
Наличия таких внутрикристаллических полей еще недостаточно для повышения точности измерения ЭДМ. Важное свойство приведенное на схеме дифракции по Лауэ - возможность увеличить время пребывания нейтрона в электрическом поле кристалла путем перехода к углам Брэгга , близким к
. Причина в том, что при дифракции по Лауэ нейтрон, имея полную скорость v, вдоль кристаллографических плоскостей в среднем движется со скоростью
, которая может быть существенно уменьшена по сравнению с v при выборе угла дифракции
вблизи
. Поскольку при этом
, время
растет по мере приближения
к
. Максимально близкий к
угол Брэгга определит максимальную чувствительность метода. Дальнейшее его увеличение, в принципе может оказаться невозможным.
|
Рис 7 Движение нейтронов вдоль кристаллографических плоскостей при дифракции. Кружками изображены области максимальной концентрации нейтронов в состояниях |